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在 MEMS 压电压力传感器批量宽温标定中综合测试系统的应用

日期:2026-08-17 21:14
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摘要: 在 MEMS 压电压力传感器批量宽温标定中综合测试系统的应用 MEMS 压电压力传感器多种用于工业液压、车载制动、空压机监测场景,器件依靠压电薄膜的力电转换效应实现压力信号采集,工作温区跨度覆盖 - 20℃低温至 200℃高温。温度变化会大幅改变压电开路电压、等效电容、绝缘电阻等参数,直接造成压力测量零点漂移、灵敏度衰减。传统检测方案采用单功能仪表搭配分体温箱,只能分开测电容、电阻、压电信号,多通道同步测试能力缺失,批量传感器温循标定周期长,微弱压电 fA 级电流易被环境噪声掩盖。Huace-AT3000 传感器多功能...

在 MEMS 压电压力传感器批量宽温标定中综合测试系统的应用

MEMS 压电压力传感器多种用于工业液压、车载制动、空压机监测场景,器件依靠压电薄膜的力电转换效应实现压力信号采集,工作温区跨度覆盖 - 20℃低温至 200℃高温。温度变化会大幅改变压电开路电压、等效电容、绝缘电阻等参数,直接造成压力测量零点漂移、灵敏度衰减。传统检测方案采用单功能仪表搭配分体温箱,只能分开测电容、电阻、压电信号,多通道同步测试能力缺失,批量传感器温循标定周期长,微弱压电 fA 级电流易被环境噪声掩盖。Huace-AT3000 传感器多功能综合测试系统集成压电、电容、电阻多通道测试单元,搭配红外微距宽温测温模块,可一次性完成数十只 MEMS 压电传感器同步变温性能标定,是 MEMS 传感芯片研发、产线批量温循可靠性检测集成设备。

一、MEMS 压电压力传感器传统标定测试痛点

1. 多参数需多台设备分次测试,时序无法同步压电电压、等效电容、绝缘电阻三类关键指标分别需要压电测试仪、LCR、高阻计三台设备,样品反复拆装,同一温度点下多参数无法同步采集,温度与电学信号时序错位,难以准确分析温度对压电耦合特性的影响规律。

2. 单通道检测,批量标定效率低单台仪表一次仅能检测 1 只传感器,研发阶段数十款薄膜配方对照、产线大批量成品温循验证需分多批次开展,完整 - 20~200℃温循标定耗时数天,严重拉长研发迭代与产线检测节拍。

3. 压电微弱信号易受干扰,测量准度不足压电薄膜受外力产生的开路电流低至 fA 级,普通采集单元输入阻抗低,杂波噪声掩盖真实压电信号,无法准确捕捉高温下压电系数微小衰减,难以区分不同掺杂压电材料性能差异。

4. 测温准度不足,局部温差带来标定误差 常规温箱仅测腔体整体温度,MEMS 芯片尺寸微小,芯片本体与箱体存在温差,无法准确获取传感器真实工作温度,温漂拟合曲线偏差大,成品零点补偿算法设计准度不足。

5. 缺少集成自动建模分析能力多设备测试产生海量离散数据,需人工整合、绘图、计算温漂系数,工作量大,人为计算误差会降低传感器标定补偿准度

二、40 通道并行多参数同步采集,批量传感器同步温循标定

系统内置 40 通道压电、电容、电阻单独测试阵列,单批次可同时放入 40 只 MEMS 压电压力传感器,0.05s 即可完成一轮全通道扫描。整套系统实现温度、压电开路电压、开路电流、等效 C/D、绝缘电阻同步实时采集,无需多次拆装样品,同一温度节点下全部电学参数一一对应,准确建立温度 - 压电性能关联曲线。压电模块输入阻抗高达 100TΩ,电流测量下限低至 1fA,适配压电薄膜微弱力电信号检测;电容单元覆盖 20Hz~10MHz 宽频,可完整采集不同温度下传感器容频变化规律。

三、红外微距测温,准确捕捉芯片本体真实温度

区别于传统腔体测温方式,设备搭载红外微距测温模块,20μm 高空间分辨率,直接对准 MEMS 传感芯片表面测温,测温区间 - 20℃~500℃,测温准度 ±2℃,减小箱体与芯片之间温差带来的标定偏差。可搭配 HC-35、HC-70 高低温试验箱联动,完整复现工业、车载传感器全工况温区,支持匀速升温、阶梯恒温、冷热循环多种试验程序,模拟传感器长期高低温交替服役环境。

四、四象限可编程电学输出,复现传感器实际负载工况

电阻、压电测试单元支持 0~200V 宽范围直流输出,具备完整四象限运行能力,内置 I-V、I-t 全自动测试程序,可模拟传感器空载、带载、长期加压老化多种工况。电容模块支持扫频、多步测试模式,自动拟合串联 / 并联等效电路,输出 Z/Y、L/C/D/Q 全套介电参数,一站式完成压电传感器绝缘、容性、压电耦合三类性能表征。

五、高性能工作站配套智能分析,自动生成温漂标定模型

搭载至强 W 处理器、64G 内存与 4T 大容量硬盘,可实时存储多通道长时温循海量数据,无卡顿丢包。配套专用分析软件自动完成曲线绘制、温漂系数计算、合格判定,一键导出标准化测试报告;支持自定义阈值,自动标记高温下压电系数衰减超标、电容漂移过大的不佳传感器。模块化硬件架构可按需拓展电化学测试通道,后续兼容传感器电极阻抗、腐蚀老化拓展试验。

六、赋能 MEMS 压电传感器配方开发与产线出厂标定

在压电薄膜材料研发阶段,科研人员利用 40 通道并行能力,同步测试不同掺杂、不同厚度压电薄膜制备的 MEMS 传感器,对比全温域压电系数、零点漂移变化,快速筛选低温漂高灵敏压电材料,优化芯片薄膜沉积工艺; 传感器生产产线出厂标定环节,设备一次性完成批量传感器 - 20℃至 200℃全温区多参数同步采集,自动生成温漂补偿曲线,直接写入传感器校准程序,大幅降低人工标定工作量,提升成品测量准度 工业设备可靠性验证环节,开展上千小时高低温循环长期监测,追踪压电性能衰减速率,预判传感器使用寿命,为工业压力监测设备寿命设计提供量化试验依据。

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