HCAM-30kV 高压放大器在介质阻挡放电 DBD 等离子体激励源中的应用
HCAM-30kV 高压放大器在介质阻挡放电 DBD 等离子体激励源中的应用
介质阻挡放电 DBD 广泛用于材料表面改性、废气处理科研实验，等离子体的放电形态完全取决于激励高压的幅值、频率与波形。普通高压变压器仅能输出固定正弦高压，波形单一，难以研究不同波形对等离子体放电效果的影响。HCAM-30kV 高压功率放大器，对信号源波形线性放大，输出 ±30kV 高压，驱动 DBD 介质阻挡放电腔体，用于等离子体机理与工艺研究。
一、传统 DBD 激励源测试痛点
变压器类激励源波形不可调，只能正弦输出，无法输出三角波、脉冲等自定义波形，工艺变量难以控制。
容性 DBD 腔体负载下，缺少四象限吸流能力，放电瞬态电压畸变严重，实际腔体电压和设定值偏差大。
缺少电流监测输出，无法直接读取微放电脉冲电流，难以解析等离子体放电微观行为。
故障保护简单，DBD 腔体发生短路、击穿时，容易损坏激励源硬件。
二、DBD 等离子体驱动测试方案
HCAM-30kV 采用四象限有源输出，不仅可以向外输出电流，还可以吸收容性腔体的回流电荷，降低 DBD 负载带来的波形畸变。外接任意波形发生器，可输出正弦、脉冲、三角波等多种高压激励信号，电压 ±30kV。配备电压、电流双路监测 BNC 接口，外接示波器直接观测 DBD 放电的电压-李萨如图形，计算放电功率。具备限流 / 跳闸可切换保护模式，腔体异常击穿时限定功率输出，保护放大器本体。
三、科研应用价值
开展高分子材料 DBD 表面改性研究，对比不同激励波形下材料表面变化；研究气体组分、电压频率对放电模式的影响；通过李萨如图形准确计算 DBD 放电功率，解析等离子体反应机理；为工业 DBD 设备提供波形、电压参数的实验室预研依据。
