卧式低压化学气相沉积炉管

产品简介

用于沉积高品质的n型掺杂或非掺杂的多晶硅或非晶硅；用于沉积高品质的低应力氮化硅或氮氧化硅。

主要技术指标

炉管1：N型多晶硅以及非晶硅薄膜沉积工艺

气体：高纯N2、SiH4、PH3

炉管2：低应力氮化硅，氮氧化硅薄膜

气体：高纯N2、NH3、N2O、SiH2Cl2

温度：700-900 °C

硅片尺寸：3英寸、4英寸、6英寸圆片；50片/炉