文章详情
Huace-1450G 真空晶圆退火炉在硅化物薄膜晶化退火工艺中的应用
日期：2026-10-09 13:06
浏览次数：0
摘要：
Huace-1450G 真空晶圆退火炉在硅化物薄膜晶化退火工艺中的应用
硅化物薄膜用于半导体器件源漏接触层，退火工艺决定薄膜晶相、方块电阻。退火温度、升降温速率以及气氛条件控制不当，容易出现薄膜团聚、生成高阻杂相，增加接触电阻。Huace-1450G 真空晶圆退火炉可实现高温真空 / 可控气氛快速热处理，用于硅化物薄膜晶化工艺研究。
一、传统硅化物退火痛点
普通管式炉热惯性大，升降温慢，薄膜长时间高温，容易发生团聚、相变，生成高阻杂相。
气氛管控差，微量氧会造成金属硅化物氧化，直接抬升薄膜电阻。...
Huace-1450G 真空晶圆退火炉在硅化物薄膜晶化退火工艺中的应用
硅化物薄膜用于半导体器件源漏接触层，退火工艺决定薄膜晶相、方块电阻。退火温度、升降温速率以及气氛条件控制不当，容易出现薄膜团聚、生成高阻杂相，增加接触电阻。Huace-1450G 真空晶圆退火炉可实现高温真空 / 可控气氛快速热处理，用于硅化物薄膜晶化工艺研究。
一、传统硅化物退火痛点
普通管式炉热惯性大，升降温慢，薄膜长时间高温，容易发生团聚、相变，生成高阻杂相。
气氛管控差，微量氧会造成金属硅化物氧化，直接抬升薄膜电阻。
晶圆片内温度不均，薄膜局部晶化不完全，整片方块电阻差异大。
无法灵活切换真空、惰性气氛，难以开展多组气氛对照试验。
二、硅化物薄膜晶化退火方案
Huace-1450G 温度可达 1450℃，红外镀金聚焦加热，支持高速可编程升降温；石英保护腔体可切换真空或者高纯保护气氛，隔绝氧气避免硅化物氧化。6 英寸样品台温场均匀度满足工艺需求，PID 闭环温控保证工艺可重复；退火完成后气体 + 水冷组合快速降温，缩短薄膜高温停留时间，减小薄膜团聚劣化。
三、研发工艺价值
研究镍硅、钛硅等硅化物薄膜晶化行为；优化退火温度、时间、气氛参数，获得低阻连续硅化物薄膜；评估不同工艺条件对薄膜方块电阻、微观形貌的影响；筛选工艺窗口，降低器件接触电阻。
