文章详情
皮安电流表在碳化硅SiC功率器件关态I-V特性测试中的应用
日期：2026-10-10 13:05
浏览次数：0
摘要：
皮安电流表在碳化硅SiC功率器件关态I-V特性测试中的应用
碳化硅 SiC 宽禁带功率器件关态漏电流通常处于 pA-nA 区间，关态漏电大小直接反映栅氧化层质量，决定器件功耗与耐压可靠性。普通半导体测试设备微弱电流档位噪声高，很难稳定采集关态 pA 级漏电，得到的 I-V 曲线失真，无法准确评估栅介质工艺优劣。Huace-122 皮安电流表宽量程特性，可同时覆盖关态微弱漏电与导通后 mA 级大电流，完整获取 SiC 器件 I-V 特性。
一、传统 SiC 器件 I-V 测试痛点
仪器本底噪声偏高，pA 级别关态漏电流被噪声淹没...
皮安电流表在碳化硅SiC功率器件关态I-V特性测试中的应用
碳化硅 SiC 宽禁带功率器件关态漏电流通常处于 pA-nA 区间，关态漏电大小直接反映栅氧化层质量，决定器件功耗与耐压可靠性。普通半导体测试设备微弱电流档位噪声高，很难稳定采集关态 pA 级漏电，得到的 I-V 曲线失真，无法准确评估栅介质工艺优劣。Huace-122 皮安电流表宽量程特性，可同时覆盖关态微弱漏电与导通后 mA 级大电流，完整获取 SiC 器件 I-V 特性。
一、传统 SiC 器件 I-V 测试痛点
仪器本底噪声偏高，pA 级别关态漏电流被噪声淹没，无法区分是器件真实漏电还是仪器噪声。
设备量程跨度不足，微弱漏电与导通大电流需要更换仪表或者手动切换档位，测试流程中断。
输入压降偏大，微弱电流测试工况改变器件实际偏置条件，I-V 曲线出现偏差。
数据输出能力弱，难以对接自动化测试系统，大批量器件对比试验效率低。
二、SiC 功率器件 I-V 测试方案
Huace-122 皮安电流表分辨率可达 10fA，100fA 档位测量误差 5%；测量范围覆盖 10fA~20mA，自动量程无需人为干预。输入压降＜200μV，降低对器件偏置的扰动；1000 读数 / 秒高速采样，准确捕捉关态微弱漏电与导通阶段电流变化。RS-232 通讯接口将 I-V 测试数据上传计算机，完成曲线记录，适配 SiC 器件批量测试。
三、研发质检价值
对比不同工艺 SiC MOSFET 关态漏电流，评估栅氧化层工艺品质；获取完整 I-V 特性曲线，筛查漏电器件；开展老化试验过程漏电持续监测，评估器件长期可靠性，支撑宽禁带功率器件工艺迭代。
